Polarizzazione e Costante Dielettrica, Polarizzazione Elettronica, Polarizzazione Ionica, Polarizzazione per Orientazione, Campo Locale ed equazione di Clausius-Mossotti. Rilassamento di dipolo, Risonanza della Polarizzazione Ionica ed Atomica, Dipendenza dalla frequenza, Perdite Dielettriche, Breakdown Elettrico e suoi meccanismi, Piezo-Elettricità, Ferro-Elettricità. L’Indice di Rifrazione Complesso.
Richiamo dei concetti e definizioni fondamentali del magnetismo. Diamagnetismo e Paramagnetismo. Teoria del campo medio nel ferromagnetismo: Funzione di Langevin, risoluzione grafica, temperatura di Curie, equazione di Curie-Weiss. Cenni su ferrimagnetismo e antiferromagnetismo, Temperatura di Nèel.
Oltre la teoria di campo medio, direzioni preferenziali. Domini Magnetici, pareti di dominio. Moto delle pareti: considerazioni energetiche. Interazione parete-difetto. Ciclo di isteresi.
Pareti di Nèel e di Bloch. Perdite di potenza: da correnti parassite e isteretiche. Calcolo della perdita come integrale del ciclo di isteresi. Risposta in frequenza. Ferromagneti duri e dolci. Memorizzazione magnetica e trasformatori. Modifiche del ciclo tramite ingegneria dei difetti e sollecitazioni meccaniche.
Modello classico degli elettroni liberi nei cristalli. Legge di Ohm, conducibilità, velocità di drift, mobilità, tempo di vita media, cammino libero medio. Effetto Hall, coefficiente di Hall. Limiti del modello classico.
Modello quantistico, approssimazione ad un elettrone.
Densità degli stati nel modello a elettroni liberi. Distribuzione di Fermi. Interpretazione quantistica di proprietà termiche ed elettriche in metalli. Regola di Matthiesen, regola di Nordheim.
Difetti e vacanze reticolari. Entalpia ed entropia di formazione di vacanze puntuali. Entropia di configurazione. Grafico di Arrhenius della concentrazione di vacanze come processo termicamente attivato. Statistica di Boltzmann e di Fermi Dirac.
Esperimento di Bragg e reticolo reciproco. Proprietà del reticolo reciproco. Diffrazione di onde elettroniche nel cristallo, degenerazione alla prima zona di Brillouin.Diagramma a bande, densità degli stati nelle bande, conducibilità nelle bande, classificazione di isolanti, metalli e semiconduttori, Teorema di Bloch. Diagramma a bande ridotto in una e due dimensioni. Gap diretta ed indiretta. Densità di elettroni in banda di conduzione. Lacune. Drogaggio nei semiconduttori. Legge di azione di massa. Dipendenza della conducibilità, della mobilità e e della concentrazione di portatori liberi con la temperatura e con la concentrazione di impurezze. Andamento della concentrazione dei portatori liberi al variare della gap e della temperatura. Determinazione sperimentale della concentrazione di portatori e della mobilità. Casi dei principali semiconduttori. Portatori di maggioranza e minoranza. Ricombinazione. Ratei di generazione e ricombinazione. Tempo di vita medio dei minoritari. Diffusività. Cammino libero medio dei minoritari. Ricombinazioni radiative e non radiative. Difetti nei cristalli. Un difetto inevitabile: la superficie. Stati superficiali, Regione di Carica Spaziale. Giunzione p-n, correnti di diffusione e di drift. Equazione del diodo. Corrente generata nella Regione di Carica Spaziale. Corrente da coppie fotogenerate. Il coefficiente di assorbimento e la lunghezza di penetrazione della luce nei semiconduttori. La cella solare. Tensione di circuito aperto, corrente di cortocircuito, Fill Factor, punto di lavoro, efficienza. Tecnologie a semiconduttore per il fotovoltaico. Considerazioni economiche energetiche, elettrotecniche. Processo di produzione di una cella al Si multicristallino. Cenni su celle al Si amorfo e celle di Graetzel. Ricombinazioni radiative e non-radiative. Diodo LED. Strutture Metallo-Ossido-Semiconduttore (MOS). Transistor MOSFET. Le problematiche relative alla realizzazione di circuiti integrati. Il cablaggio e l'isolamento. I livelli di connessione. Il prodotto rho*epsilon. La legge di Moore. Il modulo del materiale e il modulo della struttura. Lo yield di un processo a multi-step. Proprietà dell'Ossido di Silicio. Applicazioni dell'Ossido di Silicio nella tecnologia Microelettronica. Suo impiego nel drogaggio per diffusione ed impiantazione Ionica. Ossido termico, secco e umido. Modello di Deal e Grove. Ossido da Chemical Vapor Deposition, termico e via plasma. Teoria dell'elasticità. Strain e stress normali e di taglio. Coefficienti di Lamè, modulo di Young, coefficiente di Poisson, Modulo di massa. Energia elastica.
Fononi, prima zona di Brillouin, relazione di dispersione, modi fononici: longitudinale e trasversale. Il fonone come quasi-particella, conservazione di Energia e Momento. Statistica di Bose-Einstein
Effetto Raman, modi di Stokes and anti-Stokes. Fononi in basi biatomiche: branca ottica e branca acustica. Termometro Raman. Contributo del reticolo alla capacità termica molare. Modello di Einstein, Modello di Debye, comportamenti a T->0 e T->oo. La densità degli stati fononica.
Superconduttività. Superconduttori di I e II tipo, Effetto Meissner, Equazioni di London, lunghezza di penetrazione. Temperatura critica, Campo Magnetico critico, Corrente critica. Superconduttori ad alta Tc. Elementi di teoria BCS, coppie di Cooper, lunghezza di coerenza. Capacità termica in funzione della temperatura, gap di energia nei superconduttori. Predizioni della teoria BCS. Origine della gap nei superconduttori. Leggi di scala nella BCS. Applicazioni dei superconduttori: effetto Josephson, elettromagneti, trasporto di energia, treno a levitazione magnetica.
Polarization and Dielectric Constant, Electronic Polarization, Ionic Polarization, Orientation Polarization, Local Field and Clausius-Mossotti Equation. Dipole Relaxation, Resonance of Ionic and Atomic Polarization, Frequency Dependence, Dielectric Losses, Electric Breakdown and Its Mechanisms, Piezoelectricity, Ferro-Electricity. Complex Refraction Index.
Recall of the basic concepts and definitions of magnetism. Diamagnetism and Paramagnetism. Mean field theory in ferromagnetism: Langevin function, graphic resolution, Curie temperature, Curie-Weiss equation. Basics on ferrimagnetism and antiferromagnetism, Nèel Temperature.
Beyond the mean field theory, preferential directions. Magnetic Domains, Domain Walls. Wall motion: energy considerations. Wall-defect interaction. Hysteresis cycle.Nèel and Bloch walls. Power losses: from parasitic and hysteretic currents. Calculation of losses as the integral of the hysteresis cycle. Frequency response. Hard and soft Ferromagnets. Magnetic storage and transformers. Cycle modifications by engineering defects and mechanical stresses.
Classic model of free electrons in crystals. Ohm Law, Conductivity, Drift Speed, Mobility, Average Life Time, Average Free Path. Hall effect, Hall coefficient. Classical model limits.Quantum model, one-electron approximation.Density of states in the free electron model. Fermi Distribution. Quantum interpretation of thermal and electrical properties in metals. Matthiesen rule, Nordheim rule.
Defects and lattice vacations. Entalpy and entropy of vacancy formation. Configuration Entropy. Arrhenius graph of the vacancy concentration as a thermally-activated process. Statistics by Boltzmann and Fermi Dirac.
Bragg experiment and reciprocal lattice. Properties of the reciprocal lattice. Diffraction of electron waves in the crystal, degeneration at the first Brillouin zone. Bandwidth, band density state, band conductivity, classification of insulators, metals and semiconductors, Bloch theorem. Reduced band diagram in one and two dimensions. Direct and indirect gaps. Electron density in conduction band. Gaps. Doping of semiconductors. Law of mass action. Dependence of the conductivity, mobility and concentration of free carriers with temperature and concentration of impurities. Concentration of free carriers with varying gap and temperature. Experimental determination of carrier concentration and mobility. Cases of the principal semiconductors. Majority and minority carriers. Recombination. Generation and recombination rates. Average lifetime of the minority carriers. Diffusivity. Average minority carrier path. Defects in crystals. An inevitable defect: the surface. Surface States, Space Charge Region. P-n junction, diffusion and drift currents. Diode equation. Current generated in the Spatial Charge Region. Current from photogenerated pairs. Absorption coefficient and light penetration length in semiconductors. The solar cell. Open Circuit Voltage, Short Circuit Current, Fill Factor, Work Point, Efficiency. Semiconductor technologies for photovoltaics. Energetic, economic considerations, electrotechnics. Process of producing a cell of multicrystalline Si. Glimpses on Graetzel cells and amorphous-Si cells. Radiative and non-radiative recombination. LED diode. Metal-Oxide-Semiconductor Structures (MOS). MOSFET Transistor. Issues related to the realization of integrated circuits. Wiring and isolation. Connection levels. The product rho * epsilon. Moore's law. The material module and the module of the structure. The yield of a multi-step process. Properties of Silicon Oxide. Silicon Oxide Applications in Microelectronics Technology. Its use in doping and implantation doping. Thermal, dry and humid oxide. Deal and Grove model. Chemical vapor, thermal and plasma deposition of Oxide. Elasticity theory. Strain and normal stress and shear stress. Lamè Coefficients, Young Module, Poisson Coefficient, Mass Module. Elastic energy.
Phonons, first Brillouin zone, dispersion relationship, phonon modes: longitudinal and transverse. Phonon as a quasi-particle, Conservation of Energy and Momentum. Bose-Einstein statistics,Raman effect, Stokes and anti-Stokes modes. Phonons in biatomic bases: optical branch and acoustical branch. Raman Thermometer. Lattice contribution to molar thermal capacity. Einstein Model, Debye Model, T-> 0 and T-> oo behaviors. The phonon density of statesSuperconductivity. I and type II superconductors, Meissner effect, London equations, penetration depth. Critical temperature, critical Magnetic Field, critical current. High-Tc superconductors. Elements of BCS theory, Cooper pairs, coherence length. Heat capacity as a function of temperature, the energy gap in superconductors. Predictions of the BCS theory. Origin of the gap in superconductors. Scaling laws in the BCS. Applications of superconductors: Josephson effect, solenoids, power transmission, magnetic levitation train.
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